登陆

极彩下载-三维晶体管阵列有望打破摩尔定律

admin 2020-01-24 278人围观 ,发现0个评论

原标题:三维晶体管阵列有望打破摩尔定律

   现在萧红,用于计算机处理器的硅集成电路正挨近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以保持。美国密歇根大学一研讨团队却另辟蹊径,将极彩下载-三维晶体管阵列有望打破摩尔定律晶体管阵列带入三维空间极彩下载-三维晶体管阵列有望打破摩尔定律,在最先进的硅芯片上直接堆叠第二层晶体管。这一研讨为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了路途。

  摩尔定律以为,集成电路上可包容的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍。现在硅集成电路的晶体管密度已挨近极限。而跟着硅晶体管尺度变得越来越小,它们的作业电压也在不断下降,导致最先进的处理芯片或许会与触摸板、显现驱动器等高电压接口组件不兼容,后者需求在更高电压下运转,以防止过错的触摸信号或过低亮度设置之类的影响。这就需求额定的芯片来处理接口设备和处理器之间的信号转化。

  为处理上述问题,密歇根大学研讨人员经过附加器材层的单片三维集成,来进步硅互补金属氧化物半导体集成电路的功极彩下载-三维晶体管阵列有望打破摩尔定律用。他们首要运用含锌和锡的溶液掩盖硅芯片,在其外表构成均匀涂层,随后时间短烘烤使其枯燥,经过不断重复后制成一层约75纳米厚的氧化锌锡膜。运用该氧化锌锡膜制作的薄膜晶体管能够接受比下方硅芯片更高的电压。

  为了处理两个器材层之间的电压失配问题,研讨人员采用了顶部肖特基、底部欧姆的触摸结构,在触点增加的肖特基门控薄膜晶体管和笔直薄膜二极管具有优秀的开关功用。测验显现,在集成了高压薄膜晶体管后,根底硅芯片依然能够作业。

  研讨人员表明,硅集成电路在低电压(约1伏)下作业,但能够经过单片集成薄膜晶体管来供给高电压处理才能,然后免除了对额极彩下载-三维晶体管阵列有望打破摩尔定律定芯片的需求。他们的新方法将氧化物电子学的优势引进到单个硅晶体管中,有助于更紧凑、具有更多功用的芯片的开发。

  相关论文刊发在最新一期《天然电子学》杂志上。

极彩下载-三维晶体管阵列有望打破摩尔定律

(责任编辑:DF522)

请关注微信公众号
微信二维码
不容错过
Powered By Z-BlogPHP